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  • 主要特長 除近接曝光外，還可對應接觸曝光(軟接觸和硬接觸) 可對應幅度為500mm以上的大型膠片。 采用獨自的光學係統,可選擇單麵曝光或雙麵曝光。還能進行一燈式雙麵曝光。 裝載有自動對位功能。通過特殊照明實現透明材料的對位。 除Roll to Roll外可設計枚葉式搬送等機構,根據客戶的需要構成裝置。 可選擇基板台溫度控製及掩膜冷卻規格等。(選購項)
  • 主要特長 采用獨自的鏡麵・鏡頭光學係統,實現**均勻的照射。 配備有可設定非接觸・麵內均一間隙的間隙傳感器和對應多層曝光的顯微鏡、X・Y・θ軸對位台的對位係統。 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動)能夠控製厚膜光刻膠的側壁傾斜角度,形成三維微細構造體。
  • 產品信息實驗・研究用曝光裝置 簡練設計的手動式整麵單次曝光裝置。 主要特長 對應玻璃、Wafer、膠片等基材的實驗研究用手動整麵單次曝光機。也適合小批量生產。 可選擇接觸曝光(軟接觸、硬接觸)和近接曝光。 對應*大尺寸為500mm×500mm的基板。根據用途和基板尺寸,配置有*佳組合的光學係統。其中包括:超高壓水銀燈(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各種光學鏡、特殊鏡頭、聚光鏡等
  • 主要特長 能夠用於研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由於在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
  • 主要特長 能夠用於研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由於在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
  • 主要特長 搭載本公司開創的鏡麵光學係統爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實現了照射麵內的均勻性以及高照度。 采用本公司開創的同軸對位方式和高速圖像處理技術, 從而實現了高精度對位。還支持IR方式和背麵方式。 通過本公司開創的光學式間隙傳感器，可在非接觸狀態下高速、精的設定掩膜和基板間的近接間隙。 搭載有掩膜更換機。*多可自動更換20張掩膜。 *多可搭載3台片倉（Load port）。
  • 主要特長 利用本公司開創的高速圖像處理技術, 實現了Wafer與掩膜的高精度對位。 裝載機側和卸載機側*多可設置兩個籃具（選購項）。 備有冷卻機構，可進行基板台與掩膜的溫度管理（選購項）。 搭載本公司開創的鏡麵光學係統爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實現了照射麵內的均勻性以及高照度。 搭載非接觸預對位係統（PREALIGNER）。從而實現了高精度進給且保證基板不受任何損傷。 搭載有自動掩膜更換機。並可支持掩膜存放庫。
  • 主要特長 采用獨自的平行調整機構,能夠高精度地設定掩膜與Wafer間的近接間隙。 利用獨自的高速圖像處理技術,實現高精度的對位。 利用圖像處理技術,使預對位可對應薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。 利用獨自的接觸壓力精密控製機構,能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。 通過Wafer的背麵真空吸著方式,實現高速度和高精度以及穩定的自動搬送
  • 產品信息實驗・研究用曝光裝置 簡練設計的手動式整麵單次曝光裝置。 主要特長 對應玻璃、Wafer、膠片等基材的實驗研究用手動整麵單次曝光機。也適合小批量生產。 可選擇接觸曝光(軟接觸、硬接觸)和近接曝光。 對應*大尺寸為500mm×500mm的基板。根據用途和基板尺寸,配置有*佳組合的光學係統。其中包括:超高壓水銀燈(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各種光學鏡、特殊鏡頭、聚光鏡等
  • 產品信息實驗・研究用曝光裝置 簡練設計的手動式整麵單次曝光裝置。 主要特長 對應玻璃、Wafer、膠片等基材的實驗研究用手動整麵單次曝光機。也適合小批量生產。 可選擇接觸曝光(軟接觸、硬接觸)和近接曝光。 對應*大尺寸為500mm×500mm的基板。根據用途和基板尺寸,配置有*佳組合的光學係統。其中包括:超高壓水銀燈(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各種光學鏡、特殊鏡頭、聚光鏡等。
  • 利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。 主要特長 能夠用於研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由於在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
  • 利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。 主要特長 能夠用於研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由於在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
  • 利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。 主要特長 能夠用於研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由於在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
  • 主要特長 直立配置掩膜台/基板台。不需補正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。 采用新型光學係統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板台溫度控製係統及掩膜冷卻係統。
  • 主要特長 直立配置掩膜台/基板台。不需補正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。 采用新型光學係統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板台溫度控製係統及掩膜冷卻係統。
  • 主要特長 直立配置掩膜台/基板台。不需補正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。 采用新型光學係統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板台溫度控製係統及掩膜冷卻係統。(選購項) *大基板尺寸為1,200mm×1,400mm。通過獨自的光學係統實現了均勻的一次性曝光。 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
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